规格书 |
MPS650-651, 750-751 |
标准包装 | 5,000 |
晶体管类型 | PNP |
集电极电流(Ic)(最大) | 2A |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 60V |
Vce饱和(最大)@ IB,IC | 500mV @ 200mA, 2A |
电流 - 集电极截止(最大) | - |
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE | 75 @ 1A, 2V |
功率 - 最大 | 625mW |
频率转换 | 75MHz |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
供应商器件封装 | TO-92-3 |
包装材料 | Bulk |
动态目录 | PNP Transistors###/catalog/en/partgroup/pnp-transistors/15240?mpart=MPS751G&vendor=488&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称; |
包装 | 3TO-92 |
类型 | PNP |
引脚数 | 3 |
最大集电极发射极电压 | 60 V |
集电极最大直流电流 | 2 A |
最小直流电流增益 | 75@50mA@2V|75@500mA@2V|75@1A@2V|40@2A@2V |
最大工作频率 | 75(Min) MHz |
最大集电极发射极饱和电压 | 0.5@200mA@2A|0.3@100mA@1A V |
最大集电极基极电压 | 80 V |
工作温度 | -55 to 150 °C |
最大功率耗散 | 625 mW |
安装 | Through Hole |
标准包装 | Boxed |
标准包装 | Bulk |
集电极最大直流电流 | 2 |
最低工作温度 | -55 |
Maximum Transition Frequency | 75(Min) |
包装宽度 | 4.19(Max) |
PCB | 3 |
最大功率耗散 | 625 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
每个芯片的元件数 | 1 |
最大集电极基极电压 | 80 |
最大集电极发射极电压 | 60 |
供应商封装形式 | TO-92 |
标准包装名称 | TO-92 |
最高工作温度 | 150 |
包装长度 | 5.2(Max) |
包装高度 | 5.33(Max) |
最大基地发射极电压 | 5 |
封装 | Bulk |
铅形状 | Through Hole |
电流 - 集电极( Ic)(最大) | 2A |
晶体管类型 | PNP |
安装类型 | Through Hole |
频率 - 转换 | 75MHz |
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 | 500mV @ 200mA, 2A |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 60V |
供应商设备封装 | TO-92-3 |
功率 - 最大 | 625mW |
封装/外壳 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 | 75 @ 1A, 2V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
工厂包装数量 | 5000 |
集电极 - 发射极饱和电压 | 0.5 V |
产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
晶体管极性 | PNP |
发射极 - 基极电压VEBO | 5 V |
直流集电极/增益hfe最小值 | 75 at 50 mA at 2 V |
增益带宽产品fT | 75 MHz |
集电极 - 发射极最大电压VCEO | 60 V |
安装风格 | Through Hole |
集电极 - 基极电压VCBO | 80 V |
最低工作温度 | - 55 C |
配置 | Single |
最高工作温度 | + 150 C |
RoHS | RoHS Compliant |
连续集电极电流 | 2 A |
集电极电流( DC)(最大值) | 2 A |
集电极 - 基极电压 | 80 V |
集电极 - 发射极电压 | 60 V |
发射极 - 基极电压 | 5 V |
频率(最大) | 75 MHz |
功率耗散 | 0.625 W |
工作温度范围 | -55C to 150C |
包装类型 | TO-92 |
元件数 | 1 |
直流电流增益(最小值) | 75 |
工作温度分类 | Military |
弧度硬化 | No |
频率 | 75 MHz |
集电极电流(DC ) | 2 A |
直流电流增益 | 75 |
Collector Emitter Voltage V(br)ceo | :60V |
Transition Frequency ft | :75MHz |
功耗 | :625mW |
DC Collector Current | :-2A |
DC Current Gain hFE | :75 |
No. of Pins | :3 |
Weight (kg) | 0.002 |
Tariff No. | 85412100 |
Current,Collector | 2A |
Current,Gain | 40 |
PackageType | TO-92 |
极性 | PNP |
PowerDissipation | 1.5W |
PrimaryType | Si |
Resistance,Thermal,JunctiontoCase | 83.3°C/W |
Voltage,Breakdown,CollectortoEmitter | 60V |
Voltage,CollectortoBase | 80V |
Voltage,CollectortoEmitter | 60V |
Voltage,CollectortoEmitter,Saturation | 0.5V |
Voltage,EmittertoBase | 5V |
associated | 80-4-5 |
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